Wyciek lub zwarcie diody elektroluminescencyjnej objawia się zmniejszeniem impedancji układu i wzrostem przewodności, to znaczy, że istnieje dodatkowa ścieżka przewodząca na chipie diody elektroluminescencyjnej, która jest równoważna rezystorowi równolegle na obu końcach układu. Gdy rezystancja ta jest bardzo mała i bliska zeru, układ pojawia się jako awaria zwarcia, a gdy rezystancja jest duża, chip pojawia się jako awaria wycieku. Główne przyczyny awarii wycieku lub zwarcia to: awaria elektrostatyczna, naprężenie przemieleksowe i substancje przewodzące na powierzchni wióra.
Awaria elektrostatyczna wynika głównie z braku skutecznej ochrony elektrostatycznej próbki podczas transportu, montażu, testowania i pracy. Wysokie napięcie generowane przez indukcję elektrostatyczną jest bezpośrednio stosowane na obu końcach elektrody układu diody elektroluminescencyjnej. Gdy napięcie przekracza najwyższe napięcie, które układ może wytrzymać , Rozładuje się między dwoma elektrodami układu w bardzo krótkim czasie (poziom nanosekundowy). Generowana moc Joule ciepła sprawia, że wewnętrzna warstwa przewodząca i warstwa emitująca światło układu diody elektroluminescencyjnej wysokiej temperatury, a wysoka temperatura topi te warstwy w małych otworów, powodując wyciek lub zjawisko zwarcia. Naprężenie nadelektryczne jest spowodowane głównie przez przekroczenie poziomu użytkowania układu diody elektroenergetycznej lub nadmierne uszkodzenia spowodowane przez impuls wysokiego napięcia generowany przez przejściowe uderzenie pioruna, przejściowy hałas przełączania zasilacza przełączającego i wahania sieci energetycznej.
Innym głównym powodem wycieku lub zwarcia układu LED jest migracja srebra z boku układu w celu utworzenia ścieżki: dzieje się tak dlatego, że plastikowy materiał uszczelniający samej diody LED nie jest wystarczająco dobry, aby skutecznie zapobiec przedostawaniu się wilgoci do powierzchni przewodzącego kleju srebrnego. Pod działaniem pola elektrycznego elektroliza staje się jonami wodoru i jonami wodoru. Pod działaniem pola elektrycznego i jonów wodorotlenku srebro dysocjuje do produkcji jonów srebra. Pod działaniem pola elektrycznego jony srebra migrują z wysokiego potencjału do niskiego potencjału i tworzą flocculent lub dendrytyczną ekspansję tworzy ścieżkę przewodzącą na obu końcach układu diody elektroluminescencyjnej, powodując wyciek lub zwarcie układu.
