Pięć powszechnie stosowanych metod wytwarzania chipów kryształów LED o dużej mocy
Jako źródło światła, diody LED dużej mocy mają zalety małych rozmiarów, niskiego zużycia energii, niskiego wytwarzania ciepła, długiej żywotności, szybkiej reakcji, bezpiecznego niskiego napięcia, dobrej odporności na warunki atmosferyczne i dobrej kierunkowości. Zewnętrzna pokrywa może być wykonana z rury PC, która może wytrzymać wysoką temperaturę do 135 stopni i niską temperaturę -45 stopni. Jako elektryczne źródło światła czwartej generacji, dioda LED o dużej mocy jest znana jako "zielone źródło światła". Ma doskonałe właściwości, takie jak mały rozmiar, bezpieczne i niskie napięcie, długa żywotność, wysoka wydajność konwersji elektrooptycznej, duża szybkość reakcji, oszczędność energii i ochrona środowiska. Na pewno zastąpi tradycyjne żarówki, halogenowe lampy wolframowe i świetlówki stały się nową generacją źródeł światła w 21 wieku.
Metody produkcji chipów LED o dużej mocy są podsumowane w następujący sposób:
(1) Zwiększ rozmiar blasku
Pojedynczy obszar emitujący światło LED i skutecznie zwiększa ilość prądu przepływającego przez jednolitą warstwę dystrybucyjną TCL, aby osiągnąć pożądany strumień magnetyczny. Jednak samo zwiększenie obszaru emitującego światło nie rozwiązuje tego problemu, a problem rozpraszania ciepła nie może osiągnąć oczekiwanego efektu i strumienia magnetycznego w praktycznych zastosowaniach.
(2) Metoda flip-chip z krzemową płytą tylną
Lut eutektyczny Najpierw przygotuj duży układ świetlny panelu LED i przygotuj odpowiedni rozmiar, na podłożu krzemowym i podłożu krzemowym, użyj złotej warstwy lutu eutektycznego i przewodnika warstwy przewodzącej (ultradźwiękowa kula i złącze gniazda z drutu złotego) oraz przy użyciu chipów LED urządzenia mobilnego i dużych podłoży silikonowych, które są lutowane razem z lutem eutektycznym. Taka struktura jest bardziej rozsądna, nie tylko do rozważenia tej kwestii, ale także do rozważenia kwestii światła i ciepła, która jest głównym nurtem produkcji diod LED o dużej mocy.
(3) Metoda flip-chip płyty ceramicznej
Struktura krystaliczna panelu LED ogólnego urządzenia jest następną dużą, warstwą lutu eutektycznego i warstwą przewodzącą na płycie ceramicznej i podłożu ceramicznym, odpowiednimi przewodami produkowanymi w okolicy, elektrodami spawalniczymi stosuje się w kryształowym sprzęcie do spawania wiórów i dużych arkuszy ceramicznych. Taka struktura jest problemem, który należy wziąć pod uwagę, a także jest to problem, który należy wziąć pod uwagę. Zastosowanie płyt ceramicznych o wysokiej przewodności cieplnej oraz płyt ceramicznych do światła i ciepła ma bardzo dobry efekt rozpraszania ciepła i stosunkowo niską cenę. Jest bardziej odpowiedni dla obecnych podstawowych materiałów opakowaniowych i przestrzeni zarezerwowanej dla integracji układów scalonych w przyszłości.
(4) Metoda przejścia podłoża szafirowego
Producent złącza PN po usunięciu szafirowego podłoża, hoduje chip InGaN na podłożu szafirowym, a następnie łączy tradycyjny materiał czwartorzędowy z dolną elektrodą niebieskiego chipa LED o dużej strukturze metodami konwencjonalnymi.
(5) Metoda tylnego światła węglika krzemu AlGaInN (SiC)
Cree jest jedynym na świecie ultra-jasnym producentem diod LED AlGaInN z podłożami z węglika krzemu. Architektura produkowanych przez lata układów AlGaInN/SICA była stale ulepszana i zwiększana pod względem jasności. Ponieważ elektrody typu P i N znajdują się odpowiednio na górze i na dole chipa, przy użyciu pojedynczego połączenia drutu, lepsza kompatybilność, łatwość użycia, a tym samym stają się kolejnym głównym produktem w rozwoju AlGaInNLED.
